Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

MOSFET, 66 A, 650 V PG-TO 220 Infineon IPAN60R125PFD7SXKSA1

2583780
Номер производителя: IPAN60R125PFD7SXKSA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
822.90 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon 600V CoolMOS PFD7 super junction MOSFET complements the CoolMOS 7 offering for consumer applications. The MOSFET in a TO-220 FullPAK narrow-lead package features RDS(on) of 125mOhm leading to low switching losses. The products come with a fast body diode ensuring a robust device and in turn reduced bill-of-material for the customer. This product family is tailored to ultrahigh power density as well as highest efficiency designs. The products primarily address ultrahigh density chargers, adapters and low-power motor drives. The 600V CoolMOS PFD7 offers improved light- and full-load efficiency over CoolMOS P7 and CE MOSFET technologies resulting in an increase in power density by 1.8W/inch3.

Wide range of RDS(on) values
Excellent commutation ruggedness
Low EMI
Broad package portfolio
BOM cost reduction and easy manufacturing
Robustness and reliability
Easy to select the right parts for design fine-tuning

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPAN60R125PFD7SXKSA1
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
66 A
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PG-TO 220
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию