* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon NPN silicon RF transistor is for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA. This transistor is used for amplifier and oscillator applications in RF front end and wireless communications.
Pb free RoHS compliant package
VCEO max is 12 V
Техническая спецификация
Datasheet - BFR181E6327HTSA1Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
20 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
20 мА
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-23
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |