* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon low profile linear silicon NPN RF bipolar transistor is a low noise device based on Si that is part of Infineon’s established third generation RF bipolar transistor family. Its high transition frequency and low current and low noise characteristics make the device suitable for a broad range of applications as high as 3.5 GHz. It remains cost competitive without compromising on ease of use.
High current capability and low noise figure for wide dynamic range
Low voltage operation
Pb free RoHS compliant package
Техническая спецификация
Datasheet - BFR380L3E6327XTMA1Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
15 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
80 мА
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
TSLP-3-1
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |