* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon silicon germanium carbon (SiGe:C) NPN heterojunction wideband bipolar RF transistor (HBT), It is wireless communications: WLAN, WiMax and UWB.
Low noise figure NFmin 0.85 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA
High gain Gms 19.5 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
OIP3 24.5 dBm at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
Datasheet - BFP740H6327XTSA1Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
13 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
45 мА
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-343
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |