* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon silicon germanium carbon (SiGe:C) NPN heterojunction wideband bipolar RF transistor (HBT) with an integrated ESD protection. It is unique combination of high end RF performance and robustness: 21 dBm maximum RF input power, 2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits.
NFmin 0.6 dB at 2.4 GHz and 0.8 dB at 5.5 GHz, 3V, 6 mA
High gain Gms 26 dB at 2.4 GHz and Gma 20.5 dB at 5.5 GHz, 3V, 25 mA
OIP3 23.5 dBm at 5.5 GHz, 25 mA
Low profile and small form factor leadless package
Datasheet - BFP740FESDH6327XTSA1Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
4.2 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
45 мА
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
TSFP-4-1
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |