Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET Transistor, 204 A, 100 V PG-HSOF-8 Infineon IPT015N10NF2SATMA1

2592647
Номер производителя: IPT015N10NF2SATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт.
1778.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFETs are optimized for a broad range of applications like SMPS, motor drive, battery powered, battery management, UPS, and light electric vehicles. This new technology offers up to 40 percent RDS(on) improvement and up to 60 percent lower Qg compared to the previous StrongIRFET devices, translating into higher power efficiency for improved overall system performance. Increased current ratings allow for higher current carrying capability, eliminating the need to parallel multiple devices translating to lower BOM costs and board savings.

Broad availability from distribution partners
Excellent price/performance ratio
Ideal for high and low switching frequencies
Industry standard footprint through-hole package
High current rating

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPT015N10NF2SATMA1
Канал - тип:
N
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
204 A
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PG-HSOF-8
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию