Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET Transistor, 180 A PG-TO263-7-3 Infineon IPB180N06S4H1ATMA2

2605120
Номер производителя: IPB180N06S4H1ATMA2Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
1306.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+ −

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon N channel optiMOS power MOSFETs provide excellent gate charge. It has highest current capability. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

N channel enhancement mode
MSL1 up to 260°C peak reflow
100% Avalanche tested

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPB180N06S4H1ATMA2
Канал - тип:
N
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
180 A
Тип упаковки:
PG-TO263-7-3
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию