* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon low profile silicon NPN RF bipolar transistor with low noise device based on a grounded emitter. Its transition frequency of 22 GHz, low current and low voltage characteristics make the device suitable for amplifiers. It remains cost competitive without compromising on ease of use.
High ESD performance
High gain with minimum noise figure
Datasheet - BFR460L3E6327XTMA1Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
15 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
50 мА
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
TSLP-3-1
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |