Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Silicon N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP65N150M9

2614760
Номер производителя: STP65N150M9Производитель: STMicroelectronics
Цена за шт.
1141.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+ −

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-220 package

This N-channel Power MOSFET is based on the most innovative super-junction MDmesh M9 technology, suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The silicon based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on-resistance and reduced gate charge values, among all silicon based fast switching super-junction Power MOSFETs, making it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency.

All features

  • Worldwide best FOM RDS(on)*Qg among silicon-based devices

  • Higher VDSS rating

  • Higher dv/dt capability

  • Excellent switching performance

  • Easy to drive

  • 100% avalanche tested

  • Zener-protected

    • Техническая спецификация
    pdfDatasheet - STP65N150M9
    Канал - тип:
    N
    Количество контактов:
    3
    Максимальное напряжение стока источника:
    650 В
    Максимальный непрерывный потребляемый ток:
    20 A
    Материал транзистора:
    Silicon
    Режим канала:
    Enhancement
    Тип монтажа:
    Сквозное отверстие
    Тип упаковки:
    TO-220
    Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
    ТК Деловые Линии от 500 руб
    Курьером EMS Почта России от 500 руб
    Другой транспортной компанией По согласованию