* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The STMicroelectronics high voltage N-channel power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
AEC-Q101 qualified
Industry’s lowest RDS(on) x area
Industry’s best FoM (figure of merit)
Ultra-low gate charge
100% avalanche tested
Datasheet - STH12N120K5-2AGКанал - тип:
N
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
7 A
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
Tape and Reel
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |