* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon high voltage, high speed power IGBT or SiC MOSFET gate driver with three independent high side and low side referenced output channels for three phase applications.
Infineon thin film SOI technology
Integrated ultra fast bootstrap diode
Floating channel designed
Datasheet - 6ED2231S12TXUMA1Канал - тип:
N
Количество контактов:
24
Количество элементов на чип:
6
Материал транзистора:
SiC
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
DSO-24
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |