Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual SiC N-Channel MOSFET, 197 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB012N04NF2SATMA1

2625845
Номер производителя: IPB012N04NF2SATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
904.80 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.

Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen free according to IEC61249-2-21

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPB012N04NF2SATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
197 A
Материал транзистора:
SiC
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PG-TO263-3
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию