* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C operating temperature, low RθJC, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Техническая спецификация
Datasheet - IRF3808PBFКанал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
75 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
140 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220AB
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |