* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. It has 4.8mm sink to lead creep age distance. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Fully avalanche rated
High voltage isolation 2.5KVRMS
Datasheet - IRFI1310NPBFКанал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
24 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220 Full-Pak
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |