Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual GaN MOSFET Transistor, 15 A, 750 V, 4-Pin Reel STMicroelectronics SGT120R65AL

2651035
Номер производителя: SGT120R65ALПроизводитель: STMicroelectronics
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
1622.40 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+ −

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The STMicroelectronics e-mode PowerGaN transistor is combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.

Enhancement mode normally off transistor
Very high switching speed
High power management capability
Extremely low capacitances
Kelvin source pad for optimum gate driving
Zero reverse recovery charge

Техническая спецификация
pdfDatasheet - SGT120R65AL
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
750 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
15 A
Материал транзистора:
GaN
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление, Сквозное отверстие
Тип упаковки:
Reel
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию