Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual Silicon N-Channel MOSFET, 34 A, 650 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB085N60EF-GE3

2688293
Номер производителя: SIHB085N60EF-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
1836.90 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Vishay EF series power MOSFET with fast body diode and 4 generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correctio

Low effective capacitance
Avalanche energy rated
Low figure of merit

Техническая спецификация
pdfDatasheet - SIHB085N60EF-GE3
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
34 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TO-263
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию