Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Quad Silicon N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB6N80AE-GE3

2688295
Номер производителя: SIHB6N80AE-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
553.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Vishay E series power MOSFET has low switching and conduction losses, it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies, and power factor correction power supplies. It has integrated zener diode for ESD protection.

Low effective capacitance
Avalanche energy rated
Low figure of merit

Техническая спецификация
pdfDatasheet - SIHB6N80AE-GE3
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
4
Максимальное напряжение стока источника:
850 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
5 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TO-263
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию