* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is fully lead Pb free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, battery management.
Very low figure of merit
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
Datasheet - SIJH5700E-T1-GE3Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
150 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
174 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK 8 x 8L
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |