Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual Silicon N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SIS112LDN-T1-GE3

2688340
Номер производителя: SIS112LDN-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 25 шт)
183.30 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Vishay N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is single configuration MOSFET. It is lead free and halogen free and It is used an application as primary side switch, motor drive switch and boost converter.

Tuned for the lowest figure of merit
ROHS compliant
UIS tested 100 percent

Техническая спецификация
pdfDatasheet - SIS112LDN-T1-GE3
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
8.8 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK 1212-8
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию