Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual Silicon N-Channel MOSFET, 66 A, 80 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay SQJ186ELP-T1_GE3

2688366
Номер производителя: SQJ186ELP-T1_GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
245.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Vishay automotive N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is single configuration device and that has independent of operating temperature.

AEC Q101 qualified
ROHS compliant
UIS tested 100 percent

Техническая спецификация
pdfDatasheet - SQJ186ELP-T1_GE3
Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
66 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Крепление на печатной плате
Тип упаковки:
PowerPAK SO-8L
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию