Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 11.3 A, 200 V, 8-Pin PG-TSDSON-8 Infineon BSZ12DN20NS3GATMA1

2735250
Номер производителя: BSZ12DN20NS3GATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
343.20 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon MOSFET is a N channel power MOSFET. This MOSFET has an excellent gate charge. It is qualified according to JEDEC for target applications and 150 degree Celsius operating temperature. It is a optimized for dc to dc conversion.

Halogen free
RoHS compliant
Pb free lead plating
Very low on resistance

Техническая спецификация
pdfDatasheet - BSZ12DN20NS3GATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
200 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
11.3 A
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PG-TSDSON-8
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию