* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon Flash Memory is fabricated on 45 nm process technology. These devices offer a fast page access time as fast as 15 ns, with a corresponding random access time as fast as 100 ns. They feature a write buffer that allows a maximum of 256 words or 512 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms.
20 year data retention
Advanced sector protection
512 byte programming buffer
100000 program and erase cycles
Asynchronous 32 byte page read
Common flash interface parameter table
Datasheet - S29GL01GT10FHI010Количество контактов:
48
Организация:
120 MB
Размер памяти:
1Гбит
Тип интерфейса:
Parallel
Тип клетки:
NOR
Тип упаковки:
TSOP
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |