* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon NPN RF bipolar transistor is a low noise device based on a grounded emitter that is part of Infineon established fourth generation RF bipolar transistor family. Its transition frequency fT of 25 GHz and low current characteristics make the device suitable for high frequency oscillators. It remains cost competitive without compromising on ease of use.
High gain
Minimum noise figure
Suitable for broadband low noise amplifiers
LNAs for sub 1 GHz ISM band applications
Datasheet - BFP410H6327XTSA1Количество контактов:
4
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
4.5 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
40 мА
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-343
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |