* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The STMicroelectronics high voltage N-channel power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on super junction technology. The result is the best in class on resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Ultra low gate charge
100 percent avalanche tested
Zener protected
Datasheet - STP80N600K6Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
4
Максимальное напряжение стока источника:
7 A
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
7 A
Материал транзистора:
GaN
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |