* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The STMicroelectronics SiC diode is available in DO-247 with long leads and is an ultrahigh performance power schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the schottky construction, no recovery is shown during turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
None or negligible reverse recovery
Switching behaviour independent of temperature
Robust high voltage periphery
Avalanche energy rated
Datasheet - STPSC30G12WLКоличество контактов:
2
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация диода:
Single
Максимальный постоянный прямой ток:
30A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение:
1200В
Серия:
STPS
Тип диода:
SiC Шоттки
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
DO-247 LL
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |