Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Silicon N-Channel MOSFET, 277 A, 100 V, 4-Pin 8 x 8L Vishay SIJH5100E-T1-GE3

2799938
Номер производителя: SIJH5100E-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт.
1659.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET
Fully lead (Pb)-free device
Very low RDS x Qg figure of merit
100 percent Rg and UIS tested

Техническая спецификация
pdfDatasheet - SIJH5100E-T1-GE3
Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
277 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
8 x 8L
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию