Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Silicon P-Channel MOSFET, 227 A, 30 V, 8-Pin SO-8 Vishay SIRS4301DP-T1-GE3

2799961
Номер производителя: SIRS4301DP-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
1029.60 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET
100 percent Rg and UIS tested
Enhance power dissipation and lower RthJC
Fully lead (Pb)-free device

Техническая спецификация
pdfDatasheet - SIRS4301DP-T1-GE3
Канал - тип:
P
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
227 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SO-8
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию