Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Silicon P-Channel MOSFET, 36.3 A, 60 V, 8-Pin 1212-8S Vishay SISS5623DN-T1-GE3

2800001
Номер производителя: SISS5623DN-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 4 шт)
465.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

New generation power MOSFET
100 percent Rg and UIS tested
Ultra low RDS x Qg FOM product
Fully lead (Pb)-free device

Техническая спецификация
pdfDatasheet - SISS5623DN-T1-GE3
Канал - тип:
P
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
36.3 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
1212-8S
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию