* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
RF Bipolar Transistors, NXP
Bipolar Transistors, NXP
Техническая спецификация
BFG35, NPN 4GHz Wideband TransistorESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рабочая частота:
4000 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
2 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
25 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
18 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
150 мА
Размеры:
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-223 (SC-73)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |