Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
417 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
500 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
100 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
45 A
Минимальное пороговое напряжение:
3В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Типичный заряд затвора при Vgs:
87 нКл при 10 В
Datasheet