* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Техническая спецификация
BFR35AP NPN Silicon RF Transistor Data SheetESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рабочая частота:
5000 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
280 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
2.5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
20 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
15 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
45 мА
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
1 x 2.9 x 1.3мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-23
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |