* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
The Nexperia a PMBF170 is an Intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Trench MOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
Saves PCB space due to small footprint
Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics
Suitable for logic level gate drive sources
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Техническая спецификация
PMBF170 N-channel enhancement mode field-effect transistor Data SheetESD Control Selection Guide V1Высота:
1мм
Длина:
3мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
830 мВт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
2В
Максимальное сопротивление стока источника:
5 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
300 мА
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-23
Ширина:
1.4мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |