* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
1.8мм
Длина:
6.5мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.3 Вт
Максимальное напряжение входа:
-16 В, +16 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.8В
Максимальное сопротивление стока источника:
100 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
4 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
STripFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-223
Типичный заряд затвора при Vgs:
7 нКл при 5 В
Ширина:
3.5мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |