N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
150 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
16 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
60 A
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Типичный заряд затвора при Vgs:
49 нКл при 10 В
