* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
The STMicroelectronics power MOSFET has been developed using unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements.
Ultra low threshold gate drive
100% avalanche tested
Low gate charge
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
STS6NF20V 2.7V-DRIVE STripFET II POWER MOSFET Data SheetSTS6NF20V, N-Channel 20V, 30mOhm, 6A, 2.7V drive STripFET II Power MOSFETESD Control Selection Guide V1Высота:
1.25мм
Длина:
5мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.5 Вт
Максимальное напряжение входа:
-12 В, +12 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное сопротивление стока источника:
40 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
6 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
0.6В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
STripFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOIC
Типичный заряд затвора при Vgs:
8.5 нКл при 4.5 В
Ширина:
4мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |