PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Техническая спецификация
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
4 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
100 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
100 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
3 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
12 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
0.1мА
Минимальное усиление постоянного тока:
100
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Размеры:
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие