* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Техническая спецификация
BDX53B / BDX53C BDX54B / BDX54C COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Data SheetESD Control Selection Guide V1Высота:
9.15мм
Длина:
10.4мм
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
2.5 В
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
80 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
2 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
8 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
0.2мА
Минимальное усиление постоянного тока:
750
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Размеры:
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
TO-220
Ширина:
4.6мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |