* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
STB20NM60 STB20NM60-1 STP20NM60 - STP20NM60FP MDmesh MOSFET Data SheetSTP20NM60FD FDmeshPOWERMOSFET(withFASTDIODE) Data SheetESD Control Selection Guide V1Высота:
9.15мм
Длина:
10.4мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
192 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
290 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
20 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
3В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
FDmesh
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220
Типичный заряд затвора при Vgs:
37 нКл при 10 В
Ширина:
4.6мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |