* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
Техническая спецификация
PBSS4120T 20V, 1A NPN low VCEsat (BISS) transistor Data SheetESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рабочая частота:
100 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
480 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
30 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
20 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
1 A
Минимальное усиление постоянного тока:
350
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
1 x 3 x 1.4мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-23 (TO-236AB)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |