Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 23 A, 150 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRF3315PBF, МОП-транзистор

5429226
Номер производителя: IRF3315PBFПроизводитель: Infineon
Цена за шт.
539.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

The Infineon IRF3315 is the 150V single N-channel HEXFET power MOSFET in a TO-220AB package.

Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Техническая спецификация
pdfIRF3315PBF Data Sheet
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
8.77мм
Длина:
10.54мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
94 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
150 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
70 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
23 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HEXFET
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220AB
Типичный заряд затвора при Vgs:
95 нКл при 10 В
Ширина:
4.69мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию