N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
The Vishay power MOSFET has low gate charge Qg results in simple drive requirement and it has improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness.
Operating junction and storage temperature range - 55 to + 150°C
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Техническая спецификация
IRF820APBF Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
50 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
500 В
Максимальное сопротивление стока источника:
3 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
2.5 A
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Типичный заряд затвора при Vgs:
17 нКл при 10 В