* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
Dynamic dV/dt rating
Repetitive avalanche rated
Fast switching
Ease of paralleling
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Техническая спецификация
IRFP448PBF Data SheetESD Control Selection Guide V1Высота:
20.7мм
Длина:
15.87мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
180 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
500 В
Максимальное сопротивление стока источника:
600 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
11 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247AC
Типичный заряд затвора при Vgs:
84 нКл при 10 В
Ширина:
5.31мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |