* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
General Purpose PNP Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Техническая спецификация
Semi,Descrete,TransistorESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
7 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
50 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
-50 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
-2 A
Минимальное усиление постоянного тока:
200
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
1.6 x 4.6 x 2.5мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
PNP
Тип упаковки:
PW Mini
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |