* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Small Signal NPN Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Техническая спецификация
Semi,Descrete,TransistorESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рабочая частота:
100 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
150 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
120 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
120 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
100 мА
Минимальное усиление постоянного тока:
200
Рабочая температура - максимальная:
+125 °C
Размеры:
1.1 x 2.9 x 1.5мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-346 (SC-59)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |