* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
NPN Power Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Техническая спецификация
Semi,Descrete,TransistorESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рабочая частота:
30 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
150 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
230 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
230 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
15 A
Минимальное усиление постоянного тока:
55
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
19 x 15.9 x 4.8мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
TO-3PN
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |