* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
MOSFET N-Channel, 2SK Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Техническая спецификация
2SK3669, N-Channel MOSFET 10A 100VESD Control Selection Guide V1Высота:
2.3мм
Длина:
6.5мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
20 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
125 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
10 A
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
2SK
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PW Mold
Типичный заряд затвора при Vgs:
8 нКл при 10 В
Ширина:
5.5мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |