* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
MOSFET P-Channel, SSM3J Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Техническая спецификация
Transistor,FET,Pch,30V/100mA,SSMESD Control Selection Guide V1Высота:
0.7мм
Длина:
1.6мм
Канал - тип:
P
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
100 мВт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.7В
Максимальное сопротивление стока источника:
32 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
100 мА
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
SSM3
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SSM
Ширина:
0.8мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |