* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel Low Voltage MOSFETs up to 140V, Renesas Electronics
MOSFET Transistors, Renesas Electronics (NEC)
Техническая спецификация
ESD Control Selection Guide V1NP82N055PUG-E2-AZ - DatasheetВысота:
4.45мм
Длина:
10мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.8 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
55 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
5 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
82 A
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Типичный заряд затвора при Vgs:
106 нКл при 10 В
Ширина:
9.15мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |