Количество контактов:
3 + Tab
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
1.95 В
Максимальное напряжение база-эмиттер:
10 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
100 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
80 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
1.13 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
2 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
0.00001мА
Минимальное усиление постоянного тока:
2000
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
6.7 x 3.7 x 1.65мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
SOT223,NPN Darlington,100V,6A,FZT603TA