* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
1.6мм
Длина:
6.7мм
Канал - тип:
N, P
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
4
Конфигурация транзистора:
Полный мост
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.7 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
3В
Максимальное сопротивление стока источника:
300 мОм, 425 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
1.8 A, 1.5 A
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SM
Типичный заряд затвора при Vgs:
1.65 нКл при 5 В, 2.4 нКл при 5 В
Ширина:
3.7мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |